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vishay intertechnology 文章 進入vishay intertechnology技術社區(qū)

Vishay推出新型Cyllene 2 IC以升級紅外遙控應用的VSOP383xx系列前置放大電路

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款全新Cyllene 2 IC，以升級消費品中紅外（IR）遙控應用的VSOP383xx系列前置放大電路。這些增強型解決方案采用2mm x 2mm x 0.76mm的QFN封裝，以即插即用方式替代該系列中現有的器件，同時提供2.0 V至5.5 V的更寬電源電壓范圍，高37 %的黑暗環(huán)境靈敏度，以及在強DC光和Wi-Fi噪聲下的更優(yōu)性能。Vishay VSOP383xx系列前置放大器電路采用緊湊型封裝，在更寬的電壓范圍內實現低功
  • 關鍵字： Vishay  Cyllene 2  紅外遙控  前置放大電路  

Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用效率

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓降之間實現了出色的平衡。日前發(fā)布的二極管包括40 A至240 A的并聯雙二極管組件，以及50 A至90 A單相橋器件。這些二極管基于先進的薄晶圓技術制造，正向壓降低至1.36 V，顯著減小導通損耗，提高能效。此外，與硅基二極管相
  • 關鍵字： Vishay  SiC肖特基二極管  

Vishay最新推出可滿足嚴苛要求的高精度60mm感應式位置傳感器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款適用于工業(yè)等應用于嚴苛要求的基于感應技術的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術的解決方案相比，Vishay MCB RAIK060絕對值編碼器套件的厚度更薄，為5 mm，重量更輕，為15.5 g，轉速更高，達10000 rpm，而且延遲時間更短至≤ 5 μs。此外，器件對磁環(huán)境不敏感，因此可以在靠近電機的地方使用。日前發(fā)布的位置傳感器非常適合機器人、電機驅動和其他要求精確定位的工業(yè)應用，包括傳送帶控制和自
  • 關鍵字： Vishay  感應式位置傳感器  位置傳感器  

Vishay推出適用于惡劣環(huán)境應用的的微型密封多匝SMD微調電位器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調電位器--- TSM3。TSM3系列器件專為惡劣環(huán)境中空間受限的工業(yè)、消費和通信應用而設計，采用3 mm x 4 mm x 4 mm的緊湊尺寸，溫度范圍為-65 °C至+150 °C，密封等級為IP67。與上一代器件相比，日前發(fā)布的微調電位器的外形尺寸縮小了25 %，而且工作溫度范圍更寬。此外，TSM3系列允許在10 Ω至2 MΩ的寬電阻范圍內微調，并且比單匝微調電位器的設置時間更快。這些器件
  • 關鍵字： Vishay  SMD微調電位器  

Vishay安規(guī)電容-汽車EMI解決方案的優(yōu)質選擇

  • 在汽車電子化進程中，電磁干擾（EMI）是亟待攻克的難題。Vishay車用X/Y安規(guī)電容應運而生，為汽車電子系統(tǒng)保駕護航。它具有高耐壓性能，能應對汽車電氣復雜工況，降低故障風險，提升行車安全。來源：VishayY2安規(guī)電容在電路中起著重要作用，主要包括以下幾個方面?：1.??電氣隔離和安全保護2.??抑制電磁干擾（EMI）?3.??降低過電壓風險?4.??符合安全標準???Vishay作為全球領先安規(guī)電容器制造商，相當重視安規(guī)產品的可靠性和壽命。在選擇 Y
  • 關鍵字： Vishay  安規(guī)電容  EMI  

Vishay HV 系列高壓 MLCC 賦能工業(yè)應用

  • 隨著現代工業(yè)技術的不斷發(fā)展，產品對高性能電子元件的需求日益增加。高壓多層陶瓷電容器（HV MLCC）因其優(yōu)越的電氣性能、體積小、可靠性高等特點，廣泛應用于各類工業(yè)設備中。Vishay的 HV 系列高壓 MLCC 是這一領域的佼佼者，本文將探討其在工業(yè)中的應用及優(yōu)勢。產品特性(如圖表所示)：HV MLCC 圖表，來源：Vishay? 高額定電壓：500 VDC - 8 kVDC? 封裝尺寸：1206 至 4044（英制）? 串聯電極設計：提供高可靠性? NME 系統(tǒng)和濕法工藝：
  • 關鍵字： Vishay  電容器  MLCC  

Vishay推出新款精密薄膜MELF電阻，可減少系統(tǒng)元器件數量，節(jié)省空間，簡化設計并降低成本

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，通過AEC-Q200認證的0102、0204和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ± 0.1 %，阻值高達10 MW，滿足各種應用高穩(wěn)定性和高可靠性的要求。與之前的薄膜MELF電阻產品相比，日前發(fā)布的器件阻值顯著提高。例如，TCR為 ± 25 pp
  • 關鍵字： Vishay  精密薄膜MELF電阻  MELF電阻  

Vishay全集成接近傳感器榮獲2024年度中國IoT創(chuàng)新獎和2024年度EE Awards亞洲金選獎

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司的VCNL36828P全集成接近傳感器榮獲兩項行業(yè)大獎。器件分別獲得2024年度中國IoT創(chuàng)新獎的“IoT年度產品獎”以及2024年度 EE Awards亞洲金選獎的“年度最佳傳感器獎”。IoT創(chuàng)新獎由領先的電子科技媒體《電子發(fā)燒友網》主辦，已連續(xù)成功舉辦八屆，旨在表彰過去一年推出的對物聯網行業(yè)產生深遠影響的產品和技術。EE Awards亞洲金選獎由全球技術電子領域最大的媒體集團AspenCore主辦，旨在表彰為亞洲電子行業(yè)的
  • 關鍵字： Vishay  接近傳感器  

Vishay推出應用于對安全要求極高的電子系統(tǒng)的新款1 Form A固態(tài)繼電器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款1 Form A固態(tài)繼電器---VOR1060M4，該器件采用薄形SOP-4封裝，提供600 V負載電壓和3750 VRMS隔離電壓。Vishay? VOR1060M4旨在為儲能、工業(yè)和移動應用提供快速開關，可提供0.3 ms的快速導通時間（典型值）和2 nA的低漏電流。日前發(fā)布的這款光隔離器件采用先進的紅外發(fā)射器和光電二極管，導通時間快，非常適合對安全要求極高的應用。固態(tài)繼電器的漏電流較低，使器件可在敏感的低電
  • 關鍵字： Vishay  1 Form A  固態(tài)繼電器  

Vishay推出性能先進的新款40V MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? 10x12封裝的新型40 V TrenchFET? 四代n溝道功率MOSFET---SiJK140E，該器件擁有優(yōu)異的導通電阻，能夠為工業(yè)應用提供更高的效率和功率密度。與相同占位面積的競品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的導通電阻降低了32 %，同時比采用TO-263-7L封裝的40 V MOSFET的導通電阻低58 %。日前發(fā)布的這款器件在10 V電壓下的典型導通電阻低至0
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  

Vishay推出采用TO-263（D2PAK）封裝，具有多脈沖處理能力的車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出TO-263（D2PAK）封裝新型車規(guī)級表面貼裝厚膜功率電阻器---D2TO35M。Vishay Sfernice D2TO35M通過AEC-Q200認證，具有多脈沖處理能力，25 °C殼溫下功率耗散達35 W，適用于各種汽車應用。日前發(fā)布的器件功率耗散和穩(wěn)定性均優(yōu)于標準TO-263（D2PAK）封裝器件，適用于多脈沖和重復脈沖條件下使用。電阻器25 °C下1000次脈沖最大阻值偏移為2%，100 000次脈沖阻值偏移小于5
  • 關鍵字： Vishay  多脈沖處理能力  厚膜功率電阻器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應用進行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時間。日前發(fā)
  • 關鍵字： Vishay  超快恢復整流器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200 V FRED Pt超快恢復整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應用進行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時間。日前發(fā)
  • 關鍵字： Vishay  超快恢復整流器  

Vishay推出采用eSMP系列SMF（DO-219AB）封裝的全新1A和2A Gen 7 1200V FRED Pt超快恢復整流器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款采用eSMP? 系列SMF（DO-219AB）封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3和VS-E7FX0212HM3，進一步擴展其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應用進行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅在反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實現了權衡，還提供了更低的結電容和更短恢復時間。日前發(fā)
  • 關鍵字： Vishay  超快恢復整流器  

Vishay新款150V MOSFET具備業(yè)界領先的功率損耗性能

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK? SO-8S（QFN 6x5）封裝的全新150 V TrenchFET? Gen V N溝道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工業(yè)和計算應用領域的效率和功率密度。與上一代采用PowerPAK SO-8封裝的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的總導通電阻降低了68.3 %，導通電阻和柵極電荷乘積（功率轉換應用中MOSFET的關鍵品質因數（FOM）降低了1
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  
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